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Performances Gen5 Révolutionnaires
Le SSD Samsung 9100 PRO repousse les limites avec des vitesses de lecture séquentielle jusqu'à 14 800 Mo/s et d'écriture jusqu'à 13 400 Mo/s, offrant des performances presque deux fois supérieures au 990 PRO. Profitez de vitesses aléatoires allant jusqu'à 2 200K en lecture et 2 600K IOPS en écriture.
Puissance et Polyvalence
Optimisé pour les tâches les plus exigeantes, ce SSD est idéal pour le montage vidéo, l'art 3D, les jeux HD et les applications d'intelligence artificielle. Son traitement parallèle ultra-rapide garantit des chargements instantanés et une fluidité totale.
Efficacité Thermique et Logicielle
Grâce à son contrôleur 5nm, l'efficacité énergétique est améliorée jusqu'à 49 % par rapport au 990 PRO. Le logiciel Samsung Magician permet d'optimiser les performances, de surveiller la santé du disque et de migrer vos données en toute sécurité.
Caractéristiques Techniques :
Samsung 9100 PRO SSD NVMe M.2 PCIe 5.0 - 2 To
Prix promotionnel
€440,33
Prix régulier
€442,03
Le SSD Samsung 9100 PRO repousse les limites avec des vitesses de lecture séquentielle jusqu'à 14 800 Mo/s et d'écriture jusqu'à 13 400 Mo/s, offrant des performances presque deux fois supérieures au 990 PRO. Profitez de vitesses aléatoires allant jusqu'à 2 200K en lecture et 2 600K IOPS en écriture.
Puissance et Polyvalence
Optimisé pour les tâches les plus exigeantes, ce SSD est idéal pour le montage vidéo, l'art 3D, les jeux HD et les applications d'intelligence artificielle. Son traitement parallèle ultra-rapide garantit des chargements instantanés et une fluidité totale.
Efficacité Thermique et Logicielle
Grâce à son contrôleur 5nm, l'efficacité énergétique est améliorée jusqu'à 49 % par rapport au 990 PRO. Le logiciel Samsung Magician permet d'optimiser les performances, de surveiller la santé du disque et de migrer vos données en toute sécurité.
Caractéristiques Techniques :
- Capacité : 2 To
- Interface : PCIe 5.0 x4 / NVMe 2.0
- Facteur de forme : M.2 2280
- Vitesse de lecture : 14 700 Mo/s
- Vitesse d'écriture : 13 400 Mo/s
- Lecture aléatoire (4KB) : 1 850 000 IOPS
- Écriture aléatoire (4KB) : 2 600 000 IOPS
- Type de mémoire : V-NAND TLC
- Sécurité : Chiffrement matériel AES 256-bit
- Consommation : Lecture 8,1 W / Écriture 7,9 W
- Garantie : 5 ans